Kurzfassung

Oberflächenstrukturen und Wachstumsprozesse im modifizierten Eden-Cluster-Modell

Daniel Nitsch, Claus Schumacher, Bernd Zettel

Oberflächenstrukturen und Wachstumsprozesse von Aggregaten werden auf der Grundlage eines modifizierten Eden-Cluster-Modelles untersucht. Dabei stellt sich heraus, daß die sich ergebenden Oberflächen durch Angabe eines Parameters k ( Verhältnis von surface / SQR(substance) ) klassifiziert werden können. Die eingeführte "Wechselwirkung", gekennzeichnet durch die Größe q, macht sich nicht kontinuierlich in der Oberflächenstruktur bemerkbar, sondern sie führt zu einem sprunghaften Verhalten der Konstanten k = k(q). Im Wesentlichen ergeben sich drei Gruppen von Oberflächen:
a) kompakte Oberflächen, b) zerfaserte Oberflächen und c) stark zerfaserte Oberflächen, die beschrieben werden durch k1= 6.410, für 10-48 ≤ q ≤ 1, k2= 7.348, für 10-75 ≤ q ≤ 10-49, k3= 8.865, für 10-153 ≤ q ≤ 10-75.

q=1

(1)

q=10e-60

(2)

q=10e-100

(3)

Die obigen Cluster haben jeweils eine substance von 3000 Massepunkten.
Durch die unterschiedlichen Wechselwirkungen ergeben sich folgende Abweichungen der surface:

q = 1surface = 421
q = 10-60surface = 1270
q = 10-100surface = 2250

"Wir gehen vorwärts in ein unbekanntes Gebiet, wir wissen nicht, wohin uns unser Weg führen wird. Das macht die Physik so aufregend."
D. Dirac

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